型号:  IPG20N10S4L35ATMA1

功能描述:  MOSFET MOSFET

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TDSON-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  20 A

Rds On-漏源导通电阻:  29 mOhms, 29 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  16 V

Qg-栅极电荷:  17.4 nC, 17.4 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  43 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.27 mm

长度:  5.9 mm

系列:  IPG20N10

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  5.15 mm

商标:  Infineon Technologies

下降时间:  13 ns, 13 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  2 ns, 2 ns

工厂包装数量:  5000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  18 ns, 18 ns

典型接通延迟时间:  3 ns, 3 ns

零件号别名:  IPG20N10S4L-35 IPG2N1S4L35XT SP000859022