型号:  IPI030N10N3 G

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PG-TO262-3

安装风格：  ThroughHole

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  100V

Id-连续漏极电流：  100A

Rds On-漏源导通电阻：  3mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +175C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  300W

通道模式：  Enhancement

高度：  9.45mm

长度：  10.2mm

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  4.5mm

下降时间：  28ns

上升时间：  58ns

典型关闭延迟时间：  84ns

典型接通延迟时间：  34ns

Packing Type：  TUBE

Moisture Level：  NA

RDS (on) max：  3.0mΩ

IDpuls max：  400.0A

VDS max：  100.0V

ID max：  100.0 A

QG (typ @10V)：  155.0 nC

Package：  I2PAK (TO-262)

Rth：  0.5 K/W

Operating Temperature min max：  -55.0 °C 175.0 °C

Budgetary Price €€/1k：  1.91

Ptot max：  300.0W

Polarity：  N

Coss：  1940.0 pF

Ciss：  11100.0 pF

VGS(th) min max：  2.0V 3.5V

VGS(th) (typ) min max：  2.7 V 2.0 V 3.5 V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs