型号: IPI04CN10NG
功能描述: MOSFET N-Ch 100V 100A I2PAK-3
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流 00006000 : 100 A
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 4.2 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: I2PAK-3
封装: Tube
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 25 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 78 ns
系列: IPI04CN10
工厂包装数量: 500
商标名: OptiMOS
典型关闭延迟时间: 76 ns
典型接通延迟时间: 34 ns
零件号别名: IPI04CN10NGXKSA1 SP000680660
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