型号: IPI05CNE8N G
功能描述: MOSFET N-CH 85V 100A
制造商: Infineon Technologies
Status： Active
安装风格： Through Hole
产品种类： MOSFET
晶体管极性： N-Channel
配置： Single
源极击穿电压： +/- 20 V
连续漏极电流： 100 A
RDS（ON）： 5.4 mOhms
封装： Tube
功率耗散： 300 W
最低工作温度： - 55 C
封装/外壳： TO-262
典型关闭延迟时间： 64 ns
零件号别名： IPI05CNE8NGXK
上升时间： 42 ns
最高工作温度： + 175 C
漏源击穿电压： 85 V
RoHS： RoHS Compliant
下降时间： 21 ns
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