型号: IPI086N10N3G
功能描述: MOSFET N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种 1000 类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 80 A
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 8.2 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 125 W
封装 / 箱� 1000 ��: TO-262-3
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 8 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 42 ns
系列: OptiMOS 3
工厂包装数量: 500
商标名: OptiMOS
典型关闭延迟时间: 31 ns
典型接通延迟时间:18 ns: 18 ns
零件号别名: IPI086N10N3GXK IPI086N10N3GXKSA1 SP000683070
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