型号: IPI100N08N3G
功能描述: MOSFET N-KANAL POWER MOS
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 70 A
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Rds On-漏源导通电阻: 10 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
封装 / 箱体: TO-262-3
封装: Tube
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 5 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 46 ns
系列: IPI100N08
工厂包装数量: 500
典型关闭延迟时间: 22 ns
典型接通延迟时间: 14 1000 ns
零件号别名: IPI100N08N3GHKSA1
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