型号:  IPI147N12N3GAKSA1

功能描述:  Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI147N12N3GAKSA1, 56 A, Vds=120 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  120V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  56A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4V @ 61µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  49nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  3220pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  60V

功率耗散（最大值）：  107W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  14.7 毫欧 @ 56A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  通孔

供应商器件封装：  PG-TO262-3

封装/外壳：  PG-TO262-3

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  56 A

最大漏源电压：  120 V

最大漏源电阻值：  14.7 m0hms

最大栅阈值电压：  4V

最小栅阈值电压：  2V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  I2PAK (TO-262)

晶体管配置：  单

引脚数目：  3

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  107 W

宽度：  4.572mm

最高工作温度：  +175 °C

最低工作温度：  -55 °C

高度：  9.45mm

每片芯片元件数目：  1

正向跨导：  62S

正向二极管电压：  1.2V

系列：  OptiMOS 3

尺寸：  10.36 x 4.572 x 9.45mm

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  37 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  2420 pF @ 60 V

典型关断延迟时间：  24 ns

典型接通延迟时间：  16 ns

长度：  10.36mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs