型号: IPI35CN10N G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： IPx33-35CN10N G
标准包装： 500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 27A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 35 毫欧 @ 27A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 29µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1570pF @ 50V
功率 - 最大值： 58W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装： PG-TO262-3
其它名称： SP000208936
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：15018507275
Q Q:
联系人：郑金凤
电话：15563751808
Q Q:
联系人：庄培彬
Q Q:
