型号:  IPI50R350CP

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PG-TO262-3

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  550V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  10A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  3.5V @ 370µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  25nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1020pF @ 100V

功率耗散（最大值）：  89W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  350 毫欧 @ 5.6A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

供应商器件封装：  PG-TO262-3

安装风格：  ThroughHole

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  500V

Id-连续漏极电流：  10A

Rds On-漏源导通电阻：  350mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  89W

通道模式：  Enhancement

商标名：  CoolMOS

封装：  Tube

高度：  9.45mm

长度：  10.2mm

系列：  CoolMOSCE

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  4.5mm

下降时间：  12ns

上升时间：  14ns

典型关闭延迟时间：  80ns

典型接通延迟时间：  35ns

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs