型号:  IPI60R299CP

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PG-TO262-3

安装风格：  ThroughHole

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  650V

Id-连续漏极电流：  11A

Rds On-漏源导通电阻：  299mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  96W

通道模式：  Enhancement

高度：  9.45mm

长度：  10.2mm

系列：  CoolMOSCE

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  4.5mm

下降时间：  5ns

上升时间：  5ns

典型关闭延迟时间：  40ns

典型接通延迟时间：  10ns

Packing Type：  TUBE

Moisture Level：  NA

RDS (on) max：  299.0mΩ

IDpuls max：  34.0A

VDS max：  600.0V

ID max：  11.0 A

RthJC max：  1.3 K/W

QG (typ @10V)：  22.0 nC

Package：  I2PAK (TO-262)

Budgetary Price €€/1k：  1.13

Ptot max：  96.0W

Polarity：  N

VGS(th) min max：  2.5 V 3.5 V

Mounting：  THT

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs