型号: IPI80N04S2H4AKSA2
功能描述: MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
制造商: Infineon Technologies
包装: 管件
系列: OptiMOS™
零件状态: 停產
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 3.7 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 148nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 4400pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 300W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO262-3-1
封装/外壳: TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
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