型号: IPI80N06S4-07
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳: PG-TO262-3
RoHS: Y
技术: Si
安装风格: ThroughHole
通道数量: 1Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60V
Id-连续漏极电流: 80A
Rds On-漏源导通电阻: 7.1mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4V
Vgs - 栅极-源极电压: 20V
Qg-栅极电荷: 43nC
最小工作温度: -55C
最大工作温度: +175C
配置: Single
Pd-功率耗散: 79W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 9.45mm
长度: 10.2mm
系列: OptiMOS-T2
晶体管类型: 1N-Channel
宽度: 4.5mm
下降时间: 5ns
MXHTS: 85412999
上升时间: 3ns
典型关闭延迟时间: 23ns
典型接通延迟时间: 15ns
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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