型号:  IPI90R500C3XKSA1

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  900V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  11A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  3.5V @ 740µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  68nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1700pF @ 100V

功率耗散（最大值）：  156W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  500 毫欧 @ 6.6A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

供应商器件封装：  PG-TO262-3

封装/外壳：  PG-TO262-3

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  11 A

最大漏源电压：  900 V

最大漏源电阻值：  500 m0hms

最大栅源电压：  -30 V、+30 V

封装类型：  I2PAK (TO-262)

晶体管配置：  单

引脚数目：  3

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  156 W

典型接通延迟时间：  70 ns

典型关断延迟时间：  400 ns

典型输入电容值@Vds：  1700 pF @ 100 V

典型栅极电荷@Vgs：  68 nC @ 10 V

晶体管材料：  Si

最高工作温度：  +150 °C

高度：  9.45mm

系列：  CoolMOS C3

宽度：  4.5mm

最低工作温度：  -55 °C

长度：  10.2mm

正向二极管电压：  1.2V

尺寸：  10.2 x 4.5 x 9.45mm

每片芯片元件数目：  1

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs