型号:  IPL60R085P7AUMA1

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

系列：  CoolMOS™ P7

湿气敏感性等级（MSL）：  3（168 小时）

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  51nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  2180pF @ 400V

功率耗散（最大值）：  154W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  85 毫欧 @ 11.8A，10V

工作温度：  -40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  PG-VSON-4

在线目录：  N-Channel MOSFET (Metal Oxide)

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  39A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4V @ 590µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  51nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  2180pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  400V

供应商器件封装：  PG-VSON-4

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs