型号:  IPL65R190E6AUMA1

功能描述:  Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPL65R190E6AUMA1, 20 A, Vds=700 V, 5引脚 VSON封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  20.2A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  3.5V @ 700µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  73nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1620pF @ 100V

功率耗散（最大值）：  151W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  190 毫欧 @ 7.3A，10V

工作温度：  -40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  PG-VSON-4

封装/外壳：  PG-VSON-4

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  20.2 A

最大漏源电压：  700 V

最大漏源电阻值：  190 m0hms

最大栅源电压：  -30 V、+30 V

封装类型：  VSON

晶体管配置：  单

引脚数目：  5

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  151 W

每片芯片元件数目：  1

最低工作温度：  -40 °C

长度：  8.1mm

高度：  1.1mm

正向二极管电压：  0.9V

系列：  CoolMOS E6

最高工作温度：  +150 °C

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  73 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  1620 pF @ 100 V

典型关断延迟时间：  112 ns

典型接通延迟时间：  12 ns

尺寸：  8.1 x 8.1 x 1.1mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs