型号: IPL65R660E6AUMA1
功能描述: MOSFET N-CH 4VSON
制造商: Infineon Technologies
包装: 标准卷带
系列: CoolMOS™ E6
零件状态: 停產
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 660 毫欧 @ 2.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 23nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 440pF @ 100V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 63W（Tc）
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: Thin-Pak（8x8）
封装/外壳: 4-PowerTSFN
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