型号:  IPN50R1K4CEATMA1

功能描述:  Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 MOSFET IPN50R1K4CEATMA1, 4.8 A, Vds=550 V, 3针+焊片 SOT-223封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  4.8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  13V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  3.5V @ 70µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  8.2nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  178pF @ 100V

功率耗散（最大值）：  5W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  1.4 欧姆 @ 900mA，13V

工作温度：  -40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  PG-SOT223

封装/外壳：  PG-SOT223-3

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  4.8 A

最大漏源电压：  550 V

最大漏源电阻值：  1.4 0hms

最大栅阈值电压：  3.5V

最小栅阈值电压：  2.5V

最大栅源电压：  -30 V、+30 V

封装类型：  SOT-223

引脚数目：  3+Tab

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  5 W

典型接通延迟时间：  6.5 ns

典型关断延迟时间：  23 ns

典型输入电容值@Vds：  178 pF @ 100 V

典型栅极电荷@Vgs：  8.2 nC @ 10 V

系列：  CoolMOS CE

每片芯片元件数目：  1

最低工作温度：  -40 °C

宽度：  3.7mm

长度：  6.7mm

高度：  1.7mm

正向二极管电压：  0.83V

尺寸：  6.7 x 3.7 x 1.7mm

最高工作温度：  +150 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs