型号: IPN80R1K2P7ATMA1
功能描述: MOSFET LOW POWER_NEW
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 4.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 11 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 6.8 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Infineon Technologies
下降时间: 20 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 8 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
零件号别名: IPN80R1K2P7 SP001664998
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