型号:  IPN95R3K7P7ATMA1

功能描述:  MOSFET 950 V CoolMOS P7

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-223-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  950 V

Id-连续漏极电流:  2 A

Rds On-漏源导通电阻:  3.7 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  6 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  6 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  CoolMOS

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

系列:  P7

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  Infineon Technologies

下降时间:  40 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  23 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  46 ns

典型接通延迟时间:  7 ns

零件号别名:  IPN95R3K7P7