型号: IPP023NE7N3G
功能描述: MOSFET N-CH 75V 120A TO220
制造商: Infineon Technologies
包装: 管件
系列: OptiMOS™ 3
零件状态: 停產
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 75V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 2.3 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3.8V @ 273µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 206nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 14400pF @ 37.5V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 300W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3
封装/外壳: TO-220-3
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：廖先生
电话：13926543930
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：周
电话：13539687799
Q Q:
联系人：Henry廖
电话：13632606269
Q Q:
联系人：张
电话：13428776889
Q Q:
