型号:  IPP030N10N3G

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220

制造商:  infineon technologies

Status：  Active

包装：  3TO-220

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  100 V

最大连续漏极电流：  100 A

RDS -于：  3@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  34 ns

典型上升时间：  58 ns

典型关闭延迟时间：  84 ns

典型下降时间：  28 ns

工作温度：  -55 to 175 °C

安装：  Through Hole

标准包装：  Rail / Tube

最大门源电压：  ±20

包装宽度：  4.57(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  300000

最大漏源电压：  100

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  3@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  TO-220

标准包装名称：  TO-220

最高工作温度：  175

渠道类型：  N

包装长度：  10.36(Max)

引脚数：  3

包装高度：  9.45(Max)

最大连续漏极电流：  100

标签：  Tab

铅形状：  Through Hole

连续漏极电流：  100 A

栅源电压（最大值）：  �20 V

功率耗散：  300 W

漏源导通电阻：  0.003 ohm

工作温度范围：  -55C to 175C

包装类型：  TO-220

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏源导通电压：  100 V

弧度硬化：  No

删除：  Compliant