IPP03N03LB G规格参数_IPP03N03LB G全国代理商/分销商

型号: IPP03N03LB G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 50
类别：分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装：管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 80A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 3.1 毫欧 @ 55A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 59nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 7624pF @ 15V
功率 - 最大值： 150W
安装类型：通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商器件封装： PG-TO220-3
其它名称： IPP03N03LB G-NDIPP03N03LBGINIPP03N03LBGXIPP03N03LBGXKSP000074721SP000680786