型号:  IPP041N12N3GXK

功能描述:  MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  120 V

Id-连续漏极电流:  120 A

Rds On-漏源导通电阻:  3.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  211 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  300 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

高度:  15.65 mm

长度:  10 mm

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  OptiMOS 3 Power-Transistor

宽度:  4.4 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  83 S

下降时间:  21 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  52 ns

工厂包装数量:  500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  70 ns

典型接通延迟时间:  35 ns

零件号别名:  G IPP041N12N3 IPP041N12N3GXKSA1 SP000652746

单位重量:  6 g