型号: IPP04CNE8N G
功能描述: MOSFET N-CH 85V 100A 3.9mOhms
制造商: Infineon Technologies
Status： Active
产品种类： MOSFET
RoHS： RoHS Compliant
晶体管极性： N-Channel
漏源击穿电压： 85 V
源极击穿电压： +/- 20 V
连续漏极电流： 100 A
抗漏源极RDS （ ON）： 0.0042 Ohms
配置： Single
最高工作温度： + 175 C
安装风格： Through Hole
封装/外壳： TO-220
封装： Tube
下降时间： 25 ns
最低工作温度： - 55 C
功率耗散： 300 W
上升时间： 78 ns
典型关闭延迟时间： 76 ns
零件号别名： IPP04CNE8NGXK
寿命： Obsolete
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