型号: IPP04CNE8N G
功能描述: MOSFET N-CH 85V 100A 3.9mOhms
制造商: Infineon Technologies
Status: Active
产品种类: MOSFET
RoHS: RoHS Compliant
晶体管极性: N-Channel
漏源击穿电压: 85 V
源极击穿电压: +/- 20 V
连续漏极电流: 100 A
抗漏源极RDS ( ON): 0.0042 Ohms
配置: Single
最高工作温度: + 175 C
安装风格: Through Hole
封装/外壳: TO-220
封装: Tube
下降时间: 25 ns
最低工作温度: - 55 C
功率耗散: 300 W
上升时间: 78 ns
典型关闭延迟时间: 76 ns
零件号别名: IPP04CNE8NGXK
寿命: Obsolete
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