型号: IPP05CN10LG
功能描述: MOSFET Discrete Semiconductor Products MOSFETs, GaNFETs - Single - MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 100 A
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 5.1 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 37 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 288 ns
工厂包装数量: 500
典型关闭延迟时间: 62 ns
典型接通延迟时间: 46 ns
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
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联系人：肖瑶，树平
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联系人：蔡经理，张小姐
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