型号:  IPP100N04S4H2AKSA1

功能描述:  Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP100N04S4H2AKSA1, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4V @ 70µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  90nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  7180pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  115W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  2.7 毫欧 @ 100A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  通孔

供应商器件封装：  PG-TO220-3-1

封装/外壳：  PG-TO220-3

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  100 A

最大漏源电压：  40 V

最大漏源电阻值：  2.7 m0hms

最大栅阈值电压：  4V

最小栅阈值电压：  2V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  TO-220

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  115 W

长度：  10mm

尺寸：  10 x 4.4 x 15.65mm

系列：  OptiMOS T2

晶体管材料：  Si

典型输入电容值@Vds：  5520 pF @ 25 V

典型关断延迟时间：  19 ns

典型接通延迟时间：  18 ns

宽度：  4.4mm

典型栅极电荷@Vgs：  70 nC @ 10 V

高度：  15.65mm

每片芯片元件数目：  1

最低工作温度：  -55 °C

最高工作温度：  +175 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs