型号: IPP12CNE8N G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 85V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 67A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 12.9 毫欧 @ 67A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 83µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 64nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 4340pF @ 40V
功率 - 最大值： 125W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商器件封装： TO-220-3
其它名称： IPP12CNE8NGXIPP12CNE8NGXKSP000096467
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