型号:  IPP147N12N3GXKSA1

功能描述:  N-Channel 120 V 56 A 14.7 mO 37 nC OptiMOS 3 Power Transistor - TO-220

制造商:  Infineon Technologies

系列：  OptiMOS™

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  56A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4V @ 61µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  49nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  3220pF @ 60V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  107W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  14.7 毫欧 @ 56A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  PG-TO220-3

封装形式Package：  TO-220

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  120V

连续漏极电流ID：  56A

漏源电压（Vdss）：  120V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  49nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  3220pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  60V

供应商器件封装：  PG-TO-220-3

无铅情况/RoHs：  否