型号: IPP200N15N3G
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 90uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W 类型：N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 150V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 50A
栅源极阈值电压: 4V @ 90uA
漏源导通电阻: 20mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 150W
类型: N沟道
联系人：王小姐
电话：13715037703
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：刘威
Q Q:
联系人：李瑞
电话：18666667513
Q Q:
联系人：颜丙兴
电话：13316861682
Q Q:
