型号: IPP200N15N3G
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:4V @ 90uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W 类型:N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 150V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 50A
栅源极阈值电压: 4V @ 90uA
漏源导通电阻: 20mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 150W
类型: N沟道
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