型号: IPP50CN10NGXKSA1
功能描述: MOSFET
制造商: Infineon Technologies
晶体管极性： N-Channel
汲极/源极击穿电压： 100 V
闸/源击穿电压： 20 V
漏极连续电流： 20 A
导通电阻： 38 mOhms
配置： Single
最大工作温度： + 175 C
安装风格： Through Hole
封装 / 箱体： TO-220-3
封装： Tube
商标： Infineon Technologies
下降时间： 3 ns
正向跨导 - 最小值： 21 S
栅极电荷 Qg： 12 nC
最小工作温度： - 55 C
功率耗散： 44 W
上升时间： 4 ns
系列： IPP50CN10
工厂包装数量： 500
ROHS： 无铅
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