型号: IPP50CN10NGXKSA1
功能描述: MOSFET
制造商: Infineon Technologies
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 100 V
闸/源击穿电压: 20 V
漏极连续电流: 20 A
导通电阻: 38 mOhms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
下降时间: 3 ns
正向跨导 - 最小值: 21 S
栅极电荷 Qg: 12 nC
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 44 W
上升时间: 4 ns
系列: IPP50CN10
工厂包装数量: 500
ROHS: 无铅
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