型号:  IPP50R299CP

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PG-TO220-3

安装风格：  ThroughHole

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  500V

Id-连续漏极电流：  12A

Rds On-漏源导通电阻：  299mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  104W

通道模式：  Enhancement

高度：  15.65mm

长度：  10mm

系列：  CoolMOSCE

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  4.4mm

下降时间：  12ns

上升时间：  14ns

典型关闭延迟时间：  80ns

典型接通延迟时间：  35ns

Packing Type：  TUBE

Moisture Level：  NA

RDS (on) max：  299.0mΩ

IDpuls max：  26.0A

VDS max：  500.0V

ID max：  12.0A

Package：  TO-220

Rth：  1.2K/W

QG：  23.0nC

Budgetary Price €€/1k：  0.98

Operating Temperature min：  -55.0°C

Ptot max：  104.0W

Polarity：  N

RthJA max：  62.0K/W

VGS(th) min max：  2.5V 3.5V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs