型号: IPP50R399CPXKSA1
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
RoHS: 符合 RoHS
标准包装数量: 500
公司名称: CoolMOS
晶体管极性: N-Channel
Vds - 漏-源击穿电压: 560 V
Id - C连续漏极电流: 9 A
Rds On - 漏-源电阻: 399 m0hms
封装/外壳: PG-TO220-3
系列: IPP50R399
品牌: InFineon Technologies
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 9A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 330µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 4nC @ 10V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 890pF @ 100V
功率耗散(最大值): 83W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 399 毫欧 @ 4.9A,10V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO-220-3
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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