型号: IPP60R022S7XKSA1
功能描述: MOSFET N-CH 600V
制造商: Infineon Technologies
包装: 管件
系列: CoolMOS™S7
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 23A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 12V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 22 毫欧 @ 23A,12V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 1.44mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 150nC @ 12V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 5639pF @ 300V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 390W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3-1
封装/外壳: TO-220-3
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