型号: IPP60R105CFD7XKSA1
功能描述: MOSFET HIGH POWER_NEW
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 21 A
Rds On-漏源导通电阻: 105 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 42 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 106 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Infineon Technologies
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 17 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 94 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
零件号别名: IPP60R105CFD7 SP001715624
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：徐文恒
电话：18673875344
Q Q:
联系人：陈
电话：18101073669
Q Q:
联系人：陈加滴
电话：15322888907
Q Q:
