型号: IPP60R210CFD7XKSA1
功能描述: MOSFET LOW POWER_NEW
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 210 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 23 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 64 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Infineon Technologies
下降时间: 7.5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 16.5 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 54 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
零件号别名: IPP60R210CFD7 SP001715660
单位重量: 2.100 g
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