型号:  IPP65R110CFDXKSA2

功能描述:  MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  650 V

Id-连续漏极电流:  31.2 A

Rds On-漏源导通电阻:  110 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  118 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  277.8 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  CoolMOS

封装:  Tube

系列:  CFD2

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  Infineon Technologies

下降时间:  6 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  11 ns

工厂包装数量:  500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  68 ns

典型接通延迟时间:  16 ns

零件号别名:  IPP65R110CFD