型号: IPP80N04S3-03
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳： PG-TO220-3
RoHS： Y
技术： Si
安装风格： ThroughHole
通道数量： 1Channel
晶体管极性： N-Channel
Vds-漏源极击穿电压： 40V
Id-连续漏极电流： 80A
Rds On-漏源导通电阻： 3.5mOhms
Vgs - 栅极-源极电压： 20V
最小工作温度： -55C
最大工作温度： +175C
配置： Single
Pd-功率耗散： 188W
通道模式： Enhancement
封装： Tube
高度： 15.65mm
长度： 10mm
系列： OptiMOS-T
晶体管类型： 1N-Channel
宽度： 4.4mm
下降时间： 14ns
MXHTS： 85412999
上升时间： 17ns
典型关闭延迟时间： 39ns
典型接通延迟时间： 25ns
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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