型号: IPP80P04P4L-08
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳: PG-TO220-3
RoHS: Y
技术: Si
安装风格: ThroughHole
通道数量: 1Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40V
Id-连续漏极电流: 80A
Rds On-漏源导通电阻: 8.2mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2V
Vgs - 栅极-源极电压: -10V
Qg-栅极电荷: 71nC
最小工作温度: -55C
最大工作温度: +175C
配置: Single
Pd-功率耗散: 75W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 15.65mm
长度: 10mm
系列: OptiMOS-P2
晶体管类型: 1P-Channel
宽度: 4.4mm
下降时间: 35ns
MXHTS: 85412999
上升时间: 11ns
典型关闭延迟时间: 42ns
典型接通延迟时间: 12ns
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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