型号: IPP90R500C3XKSA1
功能描述: 900V, 6.8A, 0.5 Ohms, TO-220
制造商: Infineon Technologies
系列: CoolMOS™
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 11A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 740µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 68nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 1700pF @ 100V
Vgs(最大值): ±20V
功率耗散(最大值): 156W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 500 毫欧 @ 6.6A,10V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: PG-TO220-3
封装形式Package: TO-220
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 900V
连续漏极电流ID: 11A
漏源电压(Vdss): 900V
供应商器件封装: PG-TO220-3-1
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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