型号:  IPS090N03L G

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PG-TO251-3

安装风格：  ThroughHole

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  30V

Id-连续漏极电流：  40A

Rds On-漏源导通电阻：  9mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +175C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  42W

通道模式：  Enhancement

高度：  6.22mm

长度：  6.73mm

系列：  OptiMOS3

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  2.38mm

下降时间：  3ns

上升时间：  14ns

典型关闭延迟时间：  15ns

典型接通延迟时间：  4ns

Packing Type：  TUBE

RDS (on) max：  9.0mΩ

IDpuls max：  280.0A

VDS max：  30.0V

ID max：  40.0 A

Package：  IPAK SL (TO-251 SL)

Rth：  3.6K/W

QG：  7.4 nC

Budgetary Price €€/1k：  0.17

RDS (on) (@4.5V) max：  13.5mΩ

Ptot max：  42.0W

Polarity：  N

VGS(th) min max：  1.0 V 2.2 V

Coss：  500.0pF

Ciss：  1200.0pF

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs