IPS105N03L G规格参数_IPS105N03L G全国代理商/分销商

型号: IPS105N03L G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 1,500
类别：分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装：管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 35A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 10.5 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1500pF @ 15V
功率 - 最大值： 38W
安装类型：通孔
封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装： PG-TO251-3
其它名称： IPS105N03LGIPS105N03LGAKMA1IPS105N03LGINIPS105N03LGXKSP000264172SP000788218