型号: IPS110N12N3GXT
功能描述: Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-251
制造商: Infineon Technologies AG
最大门源电压： ±20
安装： Through Hole
包装宽度： 2.3
PCB： 3
最大功率耗散： 136000
最大漏源电压： 120
欧盟RoHS指令： Compliant
最大漏源电阻： 11@10V
每个芯片的元件数： 1
最低工作温度： -55
供应商封装形式： TO-251
标准包装名称： TO-251
最高工作温度： 175
渠道类型： N
包装长度： 6.5
引脚数： 3
通道模式： Enhancement
包装高度： 6.22
最大连续漏极电流： 75
标签： Tab
铅形状： Through Hole
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