型号: IPS60R210PFD7S
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 240uA 漏源导通电阻:210mΩ @ 4.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):64W (Tc) 类型:N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 16A(Tc)
栅源极阈值电压: 4.5V @ 240uA
漏源导通电阻: 210mΩ @ 4.9A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 64W (Tc)
类型: N沟道
联系人:陈泽辉
电话:13360071553
联系人:雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话:13480875861
联系人:杨先生
电话:13352985419
联系人:杨先生
电话:13360063783
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:胡小姐
电话:13724343501
联系人:Alien
联系人:骆先生
电话:13632770090
联系人:陈
电话:13682256111
联系人:吴召辉
电话:13338911218