型号:  IPS65R400CEAKMA1

功能描述:  Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 MOSFET IPS65R400CEAKMA1, 15.1 A, Vds=700 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装

制造商:  Infineon Technologies

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  15.1 A

最大漏源电压：  700 V

最大漏源电阻值：  400 m0hms

最大栅阈值电压：  3.5V

最小栅阈值电压：  2.5V

最大栅源电压：  -30 V、+30 V

封装类型：  IPAK (TO-251)

安装类型：  通孔

引脚数目：  3

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  118 W

每片芯片元件数目：  1

宽度：  2.4mm

典型接通延迟时间：  10 ns

典型关断延迟时间：  57 ns

典型输入电容值@Vds：  710 pF @ 100 V

典型栅极电荷@Vgs：  10 V 时，39 常闭

系列：  CoolMOS CE

最低工作温度：  -55 °C

长度：  6.73mm

高度：  6.22mm

正向二极管电压：  0.9V

尺寸：  6.73 x 2.4 x 6.22mm

最高工作温度：  +150 °C

封装/外壳：  PG-TO251-3

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs