型号:  IPS70R360P7SAKMA1

功能描述:  MOSFET

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-251-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  700 V

Id-连续漏极电流:  12.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  300 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  16 V

Qg-栅极电荷:  16.4 nC

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  59.5 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  CoolMOS

封装:  Tube

高度:  6.22 mm

长度:  6.73 mm

系列:  CoolMOS P7

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  2.38 mm

商标:  Infineon Technologies

下降时间:  18 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  8 ns

工厂包装数量:  1500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  100 ns

典型接通延迟时间:  19 ns

零件号别名:  IPS70R360P7S SP001499712

单位重量:  340 mg