型号:  IPS80R900P7AKMA1

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

系列：  CoolMOS™ P7

湿气敏感性等级（MSL）：  1（无限）

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  15nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  350pF @ 500V

功率耗散（最大值）：  45W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  900 毫欧 @ 2.2A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  PG-TO251-3

在线目录：  N-Channel MOSFET (Metal Oxide)

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  800V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  6A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  3.5V @ 110µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  15nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  350pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  500V

供应商器件封装：  PG-TO251-3

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs