型号: IPSH5N03LAG
功能描述: MOSFET N-KANAL POWER MOS
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 50 A
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
Rds On-漏源导通电阻: 8.7 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 83 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: IPAK-3
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 4.6 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 7.2 ns
工厂包装数量: 1500
典型关闭延迟时间: 29 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
联系人：Alien
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
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联系人：王先生
电话：13683302275
Q Q:
联系人：胡双能
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联系人：吴小姐，曹先生
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联系人：Sam
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