型号:  IPT004N03LATMA1

功能描述:  MOSFET OptiMOS N-Ch 30V 50A HSOF8

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  300A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  163nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  24000pF @ 15V

功率耗散（最大值）：  3.8W（Ta），300W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  0.4 毫欧 @ 150A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  PG-HSOF-8-1

封装/外壳：  PG-HSOF-8

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  300 A

最大漏源电压：  30 V

最大漏源电阻值：  500 μ0hms

最大栅阈值电压：  2.2V

最小栅阈值电压：  0.7V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  HSOF

引脚数目：  8+Tab

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  300 W

正向跨导：  320S

正向二极管电压：  1V

最低工作温度：  -55 °C

尺寸：  10.1 x 10.58 x 2.4mm

每片芯片元件数目：  1

宽度：  10.58mm

系列：  OptiMOS

典型栅极电荷@Vgs：  252 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  18000 pF @ 15 V

典型关断延迟时间：  149 ns

典型接通延迟时间：  30 ns

最高工作温度：  +150 °C

高度：  2.4mm

长度：  10.1mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs