型号: IPT026N10N5ATMA1
功能描述: TRENCH >=100V
制造商: Infineon Technologies
包装: 标准卷带
系列: OptiMOS™5
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 27A（Ta），202A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 2.6毫欧 @ 150A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3.8V @ 158µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 120nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 8800pF @ 50V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 214W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HSOF-8-1
封装/外壳: 8-PowerSFN
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