型号: IPU80R1K0CEAKMA1
功能描述: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251
制造商: Infineon Technologies
包装: 管件
系列: CoolMOS™ CE
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 5.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 950 毫欧 @ 3.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3.9V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 31nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 785pF @ 100V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 83W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO251-3-341
封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
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